การจำแนกประเภท SSD

วิธีการจำแนกประเภท:
สื่อจัดเก็บข้อมูล SSD แบ่งออกเป็นสองประเภทหนึ่งใช้หน่วยความจำแฟลช (ชิปแฟลช) เป็นสื่อกลางจัดเก็บและอีกประเภทหนึ่งกำลังใช้ DRAM เป็นสื่อการจัดเก็บ ล่าสุดคือเทคโนโลยีอนุภาค Xpoint ของ Intel
SSD ขึ้นอยู่กับหน่วยความจำแฟลช:
SSD ที่ใช้หน่วยความจำแฟลช (ดิสก์ IDEFLASH, ดิสก์ ATA Flash แบบอนุกรม): ใช้แฟลชชิปเป็นสื่อการจัดเก็บซึ่งเป็นที่รู้จักกันทั่วไปว่าเป็น SSD รูปลักษณ์ของมันสามารถทำในรูปแบบที่หลากหลายเช่น: สมุดบันทึกฮาร์ดดิสก์, ฮาร์ดดิสก์ไมโคร, การ์ดหน่วยความจำ, แฟลชไดรฟ์ USB และสไตล์อื่น ๆ ข้อได้เปรียบที่ใหญ่ที่สุดของไดรฟ์ SSD Solid State นี้คือสามารถเคลื่อนย้ายได้และการป้องกันข้อมูลไม่ได้ถูกควบคุมโดยแหล่งจ่ายไฟ มันสามารถปรับให้เข้ากับสภาพแวดล้อมที่หลากหลายและเหมาะสำหรับผู้ใช้รายบุคคล ชีวิตที่ยาวนานขึ้นอยู่กับสื่อหน่วยความจำแฟลชที่แตกต่างกัน โดยทั่วไปแล้วหน่วยความจำแฟลช SLC ถึง PE หลายหมื่น PE, MLC สามารถเข้าถึงได้มากกว่า 3,000 ครั้ง TLC ก็ถึงประมาณ 1,000 ครั้งและ QLC ล่าสุดยังสามารถรับรองได้ 300 ครั้ง ปริมาณการเขียนประจำปีของผู้ใช้ทั่วไปไม่เกิน 50 เท่าของขนาดทั้งหมดของฮาร์ดดิสก์ แม้แต่หน่วยความจำแฟลช QLC ที่ถูกที่สุดก็สามารถให้ชีวิตเขียน 6 ปี ความน่าเชื่อถือสูงในบ้าน SSD ที่มีคุณภาพสูงสามารถบรรลุหนึ่งในสิบของอัตราความล้มเหลวของฮาร์ดดิสก์เชิงกลแบบบ้านธรรมดา
ขึ้นอยู่กับ DRAM:
SSDS-based DRAM: ใช้ DRAM เป็นสื่อการจัดเก็บและมีแอพพลิเคชั่นที่แคบ มันเลียนแบบการออกแบบฮาร์ดดิสก์แบบดั้งเดิมสามารถใช้งานได้โดยเครื่องมือระบบไฟล์ของระบบปฏิบัติการส่วนใหญ่สำหรับการตั้งค่าระดับเสียงและการจัดการและให้อินเทอร์เฟซมาตรฐานอุตสาหกรรม PCI และ FC มาตรฐานสำหรับการเชื่อมต่อกับโฮสต์หรือเซิร์ฟเวอร์ วิธีการใช้งานสามารถแบ่งออกเป็นสองประเภท: ฮาร์ดดิสก์ SSD และอาร์เรย์ฮาร์ดดิสก์ SSD มันเป็นที่เก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูงที่สามารถเขียนได้อย่างไม่สิ้นสุดในทางทฤษฎี แต่ข้อเสียเปรียบเพียงอย่างเดียวคือต้องใช้แหล่งจ่ายไฟอิสระเพื่อปกป้องความปลอดภัยของข้อมูล ไดรฟ์ DRAM Solid-State เป็นอุปกรณ์ที่ไม่สำคัญ
ขึ้นอยู่กับ 3D xpoint
SSD ที่ใช้ XPoint 3D: โดยหลักการแล้วพวกเขาอยู่ใกล้กับ DRAM แต่พวกเขาเป็นที่เก็บข้อมูลที่ไม่ระเหย เวลาแฝงการอ่านต่ำมากซึ่งสามารถเข้าถึง SSD หนึ่งเปอร์เซ็นต์ได้อย่างง่ายดายและมีอายุการจัดเก็บไม่ จำกัด ข้อเสียคือความหนาแน่นค่อนข้างต่ำเมื่อเทียบกับ NAND ค่าใช้จ่ายสูงมากและส่วนใหญ่จะใช้ในเดสก์ท็อประดับไข้และศูนย์ข้อมูล